2008年11月5日 星期三

SLC NAND在EBoot下不用作wear leavling

今天打給Samsung代理商以及Samsung FAE
我們用的NAND是SLC type的 相對於 MLC type 壽命長多了
也因為SLC (Single level Cell) 一個cell 表示 0或1 一種電位而
MLC (Multi level Cell) 一個 cell 表示 00, 01, 10,11 四種電位
所以當常常在使用的時候會因為電位偏移造成MLC儲存的電位不對而造成寫入的資料錯誤
所以 MLC比SLC更需要做Wear leveling 技術的保護機制
但 MLC雖然壽命沒SLC長 但也大概能R/W一萬次以上, 且容量可以做得更大
SLC缺點就是 讀取速度沒那麼快 以及容量沒辦法做那麼大 大概就這樣吧

而目前project用的是 SLC type的 所以在EBoot download image的部分 我們就"暫時"先不做
block-protection 的機制(要做其實也可以 只要把block/sector使用的次數記錄在 sectorInfo的欄位裡頭就行囉) 只是為了趕schedule所以先"暫時"不弄囉

接下來要先看懂 MS public裡頭的 bootpart這個library來對NAND作 partition的方法了
加油

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